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机译:基于锑化物的III-V族化合物半导体和器件的研究进展
Chao Liu; Yanbo Li; Yiping Zeng;
机译:基于锑化物的III-V半导体外延层及其在量子器件中心的应用概述
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机译:等离子蚀刻基于锑的III-V半导体材料和器件结构。
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机译:开发半导体器件的接触材料。 III-V复合半导体中重掺杂。
机译:基于氮化物的III-V复合半导体的生长,半导体装置的制造,基于氮化物的III-V复合半导体的生长的基质,用于基于氮化物的III-V复合半导体的生长的基质的制造
机译:发光二极管,其制造方法,集成发光二极管,其制造方法,生长基于氮化物的III-V族化合物半导体的方法,用于生长基于氮化物的III-V族化合物半导体的基板,光源单元,光源二极管背光源和发光二极管照明设备,发光二极管显示器,电子设备,电子设备及其制造方法
机译:发光二极管及其制造方法,集成的发光二极管及其制造方法,生长基于氮化物的III-V族化合物半导体的方法,用于生长基于氮化物的III-V族化合物,半导体的材料源电池单元,发光二极管背光源,发光二极管照明装置,发光二极管显示器和电子仪器,电子装置及其制造方法
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